Catalogue en ligne - Composants électroniques. Page 14 sur 1235. Avtronic

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25932 articles disponibles

Affichage 21 articles: 2N3442-PMC à 2N5087 (Page 14 sur 1235)

Transistor 2N3442-PMC

6.27€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor NPN 2N3442-PMC 160V 10A 117W >0.8MHz. Vce maxi: 160 V. Courant de collecteur maxi: 10 A. Boîtier: TO-3. Constructeur: PMC. Fréquence maxi: 0.8 MHz. Puissance: 117 W

Tarifs dégressifs

Transistor 2N3638

5.15€ TTC

17 En stock

Transistor PNP 2N3638. 25V 0.5A 0.3W <90/170nS. Vce maxi: 25 V. Courant de collecteur maxi: 0.5 A. Puissance: 0.3 W

Tarifs dégressifs

Transistor 2N3700

1.57€ TTC

4 En stock

Transistor NPN 2N3700 140V 1A 0.5W 200MHz UNI. Vce maxi: 140 V. Courant de collecteur maxi: 1 A. Boîtier: >100. Fréquence maxi: 200 MHz. Puissance: 0.5 W

Tarifs dégressifs

Transistor 2N3771

13.16€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor bipolaire NPN 40/50V 30A. Boîtier: TO-3. Tension collecteur-émetteur maxi: 50V. Vcbo: 40V. Courant de collecteur maxi: 30A. Puissance: 150W. Fréquence maxi: 0.2MHz.

Tarifs dégressifs

Transistor 2N3772

8.06€ TTC

15 En stock

Transistor bipolaire NPN 60/100V 20A. Boîtier: TO-3. Tension collecteur-émetteur maxi: 100V. Vcbo: 60V. Courant de collecteur maxi: 20A. Puissance: 150W. Fréquence maxi: 0.2MHz.

Tarifs dégressifs

Transistor 2N3773

6.94€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor bipolaire NPN 140/160V 16A. Boîtier: TO-3. Tension collecteur-émetteur maxi: 160V. Vcbo: 140V. Courant de collecteur maxi: 16A. Puissance: 150W. Fréquence maxi: 0.2MHz.

Tarifs dégressifs

Transistor 2N3773-ONS

16.63€ TTC

7 En stock

Transistor NPN 2N3773-ONS 140/160V 16A 150W 0.2MHz. Vce maxi: 160 V. Courant de collecteur maxi: 16 A. Boîtier: TO-3 (TO-204). Constructeur: ONS. 2N3773G. Fréquence maxi: 0.2 MHz. Tension collecteur/base maxi: 140 V. Puissance: 150 W

Tarifs dégressifs

Transistor 2N3820

1.74€ TTC

38 En stock

Transistor P-FET. Tension drain-source maxi: -20V. Courant de drain maxi: -10mA. Puissance: 350mW. Boîtier: TO-92.

Tarifs dégressifs

Transistor 2N3866

16.52€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor NPN 2N3866 55V 0.4A PQ>1W (400MHz). Vce maxi: 55 V. Courant de collecteur maxi: 0.4 A. Boîtier: TO-39. VHF/UHF-O. Fréquence maxi: 400 MHz. Puissance: 1 W

Tarifs dégressifs

Transistor 2N3904

0.22€ TTC

951 En stock

Transistor bipolaire NPN 60V 0.1A. Référence d'origine constructeur: 2N3904AMMO. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Vceo (IB=0): 40V. Vcbo: 60V. Courant de collecteur maxi: 100 mA. Puissance: 0.5W. Fréquence maxi: 250MHz. Gain Hfe mini: 100. Gain Hfe maxi: 300.

Quantité minimum: 10

Tarifs dégressifs

Transistor 2N3906

0.22€ TTC

3730 En stock

Transistor bipolaire PNP 40V 0.2A. Gain Hfe:100. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur maxi: 40V. Courant de collecteur maxi: 0.2A. Puissance: 0.6W. Fréquence maxi: 200MHz.

Quantité minimum: 10

Tarifs dégressifs

Transistor 2N4014

3.70€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor NPN 2N4014 80V 1A 0.36W 300MHz S. Vce maxi: 80 V. Courant de collecteur maxi: 1 A. S. Constructeur: MOT. TO-18. Fréquence maxi: 300 MHz. Puissance: 0.36 W

Tarifs dégressifs

Transistor 2N4033

2.86€ TTC

46 En stock

Transistor bipolaire PNP 80V 1A. Boîtier: TO-39. Tension collecteur-émetteur maxi: 80V. Courant de collecteur maxi: 1A. Puissance: 0.8W. Boîtier: TO-5 (9x7mm).

Tarifs dégressifs

Transistor PNP 2N4033-ST

5.10€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor PNP 80V 1A 0.8W fT:150-500MHz

Tarifs dégressifs

Transistor 2N4036

7.95€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 90V. Courant collecteur maxi: 1A. Boîtier: TO-39. Puissance: 1W.

Tarifs dégressifs

Transistor 2N4393

17.14€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor FET canal N (N-FET) 40V Idss>5mA Up<3V. Boîtier: TO-18. Vds(max): 40V. Id(@25ºC): 50mA. Puissance: 1.8W. Résistance Rds: 100 Ohms.

Tarifs dégressifs

Transistor 2N4401

0.39€ TTC

632 En stock

Transistor NPN 2N4401 40/60V 0.6A 0.625W td:15nS.ts:225nS. Vce maxi: 60 V. Courant de collecteur maxi: 0.6 A. Boîtier: TO-92. UNI. hFE:100. Constructeur: ONS. Tension collecteur/base maxi: 40 V. Puissance: 0.625 W

Quantité minimum: 10

Tarifs dégressifs

Transistor 2N4403

0.67€ TTC

1692 En stock

Transistor bipolaire PNP 40/60V 0.6A. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Vcbo: 40V. Courant de collecteur maxi: 0.6A. Puissance: 0.625W. Gain Hfe:100.

Tarifs dégressifs

Transistor 2N4857A

5.94€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor 2N4857A N-FET 40V 50mA 360mW Idss: : 20mA 40R Up: 2V - 6V. J-FET. Constructeur: Siliconix. Boîtier: TO-18 (TO-206A). Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 50 mA. Puissance: 360 mW

Tarifs dégressifs

Thyristor 2N5064

1.51€ TTC

52 En stock

Thyristor 200V. Courant maxi: 0.5A. 50Hz. Igt<0.2mA.

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5087

1.12€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor NPN 2N5087 50V 0.1A 625W 40Hz NF:2.0dB. Vce maxi: 50 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: TO-92. Pre-ampl HI-FI. Low-noise. Constructeur: FAI. hFE: 250-900. Puissance: 625 W

Tarifs dégressifs

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Transistor 2N3442-PMC

Transistor NPN 2N3442-PMC 160V 10A 117W >0.8MHz. Vce maxi: 160 V. Courant de collecteur maxi: 10 A. Boîtier: TO-3. Constructeur: PMC. Fréquence maxi: 0.8 MHz. Puissance: 117 W

Transistor 2N3638

Transistor PNP 2N3638. 25V 0.5A 0.3W <90/170nS. Vce maxi: 25 V. Courant de collecteur maxi: 0.5 A. Puissance: 0.3 W

Transistor 2N3700

Transistor NPN 2N3700 140V 1A 0.5W 200MHz UNI. Vce maxi: 140 V. Courant de collecteur maxi: 1 A. Boîtier: >100. Fréquence maxi: 200 MHz. Puissance: 0.5 W

Transistor 2N3771

Transistor bipolaire NPN 40/50V 30A. Boîtier: TO-3. Tension collecteur-émetteur maxi: 50V. Vcbo: 40V. Courant de collecteur maxi: 30A. Puissance: 150W. Fréquence maxi: 0.2MHz.

Transistor 2N3772

Transistor bipolaire NPN 60/100V 20A. Boîtier: TO-3. Tension collecteur-émetteur maxi: 100V. Vcbo: 60V. Courant de collecteur maxi: 20A. Puissance: 150W. Fréquence maxi: 0.2MHz.

Transistor 2N3773

Transistor bipolaire NPN 140/160V 16A. Boîtier: TO-3. Tension collecteur-émetteur maxi: 160V. Vcbo: 140V. Courant de collecteur maxi: 16A. Puissance: 150W. Fréquence maxi: 0.2MHz.

Transistor 2N3773-ONS

Transistor NPN 2N3773-ONS 140/160V 16A 150W 0.2MHz. Vce maxi: 160 V. Courant de collecteur maxi: 16 A. Boîtier: TO-3 (TO-204). Constructeur: ONS. 2N3773G. Fréquence maxi: 0.2 MHz. Tension collecteur/base maxi: 140 V. Puissance: 150 W

Transistor 2N3820

Transistor P-FET. Tension drain-source maxi: -20V. Courant de drain maxi: -10mA. Puissance: 350mW. Boîtier: TO-92.

Transistor 2N3866

Transistor NPN 2N3866 55V 0.4A PQ>1W (400MHz). Vce maxi: 55 V. Courant de collecteur maxi: 0.4 A. Boîtier: TO-39. VHF/UHF-O. Fréquence maxi: 400 MHz. Puissance: 1 W

Transistor 2N3904

Transistor bipolaire NPN 60V 0.1A. Référence d'origine constructeur: 2N3904AMMO. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Vceo (IB=0): 40V. Vcbo: 60V. Courant de collecteur maxi: 100 mA. Puissance: 0.5W. Fréquence maxi: 250MHz. Gain Hfe mini: 100. Gain Hfe maxi: 300.

Transistor 2N3906

Transistor bipolaire PNP 40V 0.2A. Gain Hfe:100. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur maxi: 40V. Courant de collecteur maxi: 0.2A. Puissance: 0.6W. Fréquence maxi: 200MHz.

Transistor 2N4014

Transistor NPN 2N4014 80V 1A 0.36W 300MHz S. Vce maxi: 80 V. Courant de collecteur maxi: 1 A. S. Constructeur: MOT. TO-18. Fréquence maxi: 300 MHz. Puissance: 0.36 W

Transistor 2N4033

Transistor bipolaire PNP 80V 1A. Boîtier: TO-39. Tension collecteur-émetteur maxi: 80V. Courant de collecteur maxi: 1A. Puissance: 0.8W. Boîtier: TO-5 (9x7mm).

Transistor PNP 2N4033-ST

Transistor PNP 80V 1A 0.8W fT:150-500MHz

Transistor 2N4036

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 90V. Courant collecteur maxi: 1A. Boîtier: TO-39. Puissance: 1W.

Transistor 2N4393

Transistor FET canal N (N-FET) 40V Idss>5mA Up<3V. Boîtier: TO-18. Vds(max): 40V. Id(@25ºC): 50mA. Puissance: 1.8W. Résistance Rds: 100 Ohms.

Transistor 2N4401

Transistor NPN 2N4401 40/60V 0.6A 0.625W td:15nS.ts:225nS. Vce maxi: 60 V. Courant de collecteur maxi: 0.6 A. Boîtier: TO-92. UNI. hFE:100. Constructeur: ONS. Tension collecteur/base maxi: 40 V. Puissance: 0.625 W

Transistor 2N4403

Transistor bipolaire PNP 40/60V 0.6A. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Vcbo: 40V. Courant de collecteur maxi: 0.6A. Puissance: 0.625W. Gain Hfe:100.

Transistor 2N4857A

Transistor 2N4857A N-FET 40V 50mA 360mW Idss: : 20mA 40R Up: 2V - 6V. J-FET. Constructeur: Siliconix. Boîtier: TO-18 (TO-206A). Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 50 mA. Puissance: 360 mW

Thyristor 2N5064

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Transistor NPN 2N5087 50V 0.1A 625W 40Hz NF:2.0dB. Vce maxi: 50 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: TO-92. Pre-ampl HI-FI. Low-noise. Constructeur: FAI. hFE: 250-900. Puissance: 625 W

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